一、合美半導(dǎo)體（北京）HSM-L系列研磨拋光機產(chǎn)品特點
1、整機防腐，適應(yīng)常規(guī)化學機械拋光耐腐蝕要求。
2、合美半導(dǎo)體（北京）HSM-L系列研磨拋光機的樣片去除厚度在線實時監(jiān)測，精度1μm。
3、合美半導(dǎo)體（北京）HSM-L系列研磨拋光機可實現(xiàn)端面及角度研磨拋光工藝。
4、工藝程序所有控制參數(shù)，均可在顯示屏獨立顯示。
5、合美半導(dǎo)體（北京）HSM-L系列研磨拋光機的研磨拋光盤轉(zhuǎn)速可自主設(shè)定，轉(zhuǎn)速范圍為0-120rpm。
6、工作時間可自主設(shè)定，合美半導(dǎo)體（北京）HSM-L系列研磨拋光機連續(xù)運轉(zhuǎn)時間可達10個小時。
7、合美半導(dǎo)體（北京）HSM-L系列研磨拋光機可獨立顯示并指示實際工作時長，在完成既定工藝程序后自動關(guān)機。
8、研磨工藝轉(zhuǎn)到拋光工藝時，研磨盤與拋光盤的更換簡捷方便，全系列磨頭及附件均適配。
9、填料系統(tǒng)自動控制，滴料速度可調(diào)。
10、夾具擺幅及速度可精確控制，且擺幅范圍：0－100%；夾具壓力可調(diào)，可調(diào)范圍可達7kg；合美半導(dǎo)體（北京）HSM-L系列研磨拋光機配有獨立真空單元，樣片通過真空吸附固定到夾具上面。
咨詢電話：159 1097 4236
11、合美半導(dǎo)體（北京）HSM-L系列研磨拋光機可定制固定組件，實現(xiàn)端面及角度磨拋工藝。
二、合美半導(dǎo)體（北京）HSM-L系列研磨拋光機適用材料
合美半導(dǎo)體（北京）HSM-L系列研磨拋光機主要適用于化合物半導(dǎo)體材料、金屬薄膜、光電材料等平面、端面及角度拋光，主要加工材料包括氮化鎵、金剛石、氧化鎵、鈮酸鋰、多晶碳化硅、光纖。
三、合美半導(dǎo)體（北京）HSM-L系列研磨拋光機應(yīng)用領(lǐng)域
合美半導(dǎo)體（北京）HSM-L系列研磨拋光機廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體材料襯底減薄拋光、器件制備、先進封裝及MEMS等相關(guān)領(lǐng)域，例如TC-SAW、FBAR、激光器、硅光子器件、TSV、SIP、Fan-out、MEMS高溫壓力傳感器、MEMS陀螺儀等。
四、合美半導(dǎo)體（北京）HSM-L系列研磨拋光機技術(shù)參數(shù)
項目 | 合美半導(dǎo)體（北京）HSM-L系列 |
電壓 | 240V 50Hz |
電流 | 6.3A |
工作盤直徑 | 300mm、350mm、420mm |
盤轉(zhuǎn)速 | 0～120rpm（范圍可調(diào)整） |
夾具自驅(qū)動轉(zhuǎn)速 | 0～120rpm（范圍可調(diào)整） |
連續(xù)工作時間 | 0～10小時 |
對應(yīng)晶圓尺寸 | 3英寸、4英寸、6英寸 |
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